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1

￥1.073586
10

￥1.01282
100

￥0.955484
500

￥0.9014
1000

￥0.850378

ON Semiconductor NSVMMUN2230LT1G

Name: NSVMMUN2230LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVMMUN2230LT1G
Price: 1.07 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVMMUN2230LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVMMUN2230LT1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

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NSVMMUN2230LT1G ON Semiconductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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NSVMMUN2230LT1G详情

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型号对比

ON Semiconductor NSVMMUN2230LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

2 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

246mW
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
功率 - 最大

246mW
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

3 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 10mA
电阻基(R1)

1 k Ω
电阻-发射极基极(R2)

1 k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVMMUN2230LT1G拓展信息

热销零件