ON Semiconductor NSVMMUN2236LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

246mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

电阻基(R1)

100 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

100 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant