ON Semiconductor NSVMUN5132T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

15

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

202mW

基本部件号

MUN51**T

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

无卤素

无卤素

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

电阻基(R1)

4.7 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

4.7 k Ω

高度

900μm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅