ON Semiconductor NTB25P06T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tj

Turn Off Delay Time

43 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

额定电流

-25A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

120W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

82m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

72ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±15V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

190 ns

连续放电电流(ID)

27.5A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.082Ohm

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

高度

4.83mm

长度

10.29mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅