ON Semiconductor NTB6413ANT4G

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Turn Off Delay Time

52 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

28MOhm

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

136W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 42A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 10V

上升时间

84ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

71 ns

连续放电电流(ID)

42A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

长度

10.29mm

高度

4.83mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅