ON Semiconductor NTD110N02RT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12.5A Ta 110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta 110W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.1MOhm

电压 - 额定直流

24V

终端形式

鸥翼

额定电流

110A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.88W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.6m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3440pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V

上升时间

39ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

110A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32A

漏源击穿电压

24V

栅源电压

1.5 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅