ON Semiconductor NTD20P06LT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

65W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

130mOhm

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-15A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

65W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 7.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 5V

上升时间

90ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

15.5A

阈值电压

-1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

栅源电压

-1.5 V

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅