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'ntd3055150'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

电压 - 额定直流

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTD3055-150
NTD3055-150
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

2

SILICON

Tube

NTD30

Obsolete

CASE 369C-01, DPAK-3

小概要

1

PLASTIC/EPOXY

CASE 369C-01

onsemi

30

无

NTD3055-150

RECTANGULAR

Rochester Electronics LLC

1

活跃

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

5.16

9 A

-

e0

无

锡铅

SINGLE

鸥翼

240

R-PSSO-G2

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

0.15 Ω

27 A

60 V

30 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

unknown

NTD3055-150
NTD3055-150
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

SILICON

1

e0

no

Obsolete

1 (Unlimited)

2

锡铅

SINGLE

鸥翼

240

30

R-PSSO-G2

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

9A

0.15Ohm

27A

60V

30 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Non-RoHS Compliant

NTD3055-150-1
NTD3055-150-1
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

3

SILICON

Tube

NTD30

Obsolete

CASE 369D-01, DPAK-3

IN-LINE

1

PLASTIC/EPOXY

CASE 369D-01

onsemi

未说明

无

NTD3055-150-1

RECTANGULAR

Rochester Electronics LLC

1

活跃

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

5.16

9 A

-

e0

无

锡铅

SINGLE

THROUGH-HOLE

235

R-PSIP-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

0.15 Ω

27 A

60 V

30 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

unknown

NTD3055-150G
NTD3055-150G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

3

SILICON

12.2 ns

9A Ta

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2006

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

60V

鸥翼

260

9A

40

R-PSSO-G2

不合格

Single

增强型MOSFET

28.8W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

280pF @ 25V

15nC @ 10V

37.1ns

±20V

23 ns

9A

20V

9A

0.15Ohm

60V

27A

符合RoHS标准

无铅

NTD3055-150-1
NTD3055-150-1
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

SILICON

1

e0

no

Obsolete

1 (Unlimited)

3

锡铅

SINGLE

THROUGH-HOLE

235

未说明

R-PSIP-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

9A

0.15Ohm

27A

60V

30 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Non-RoHS Compliant

NTD3055-150-1G
NTD3055-150-1G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

4

SILICON

12.2 ns

9A Ta

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2006

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

60V

未说明

9A

未说明

R-PSIP-T3

不合格

Single

增强型MOSFET

28.8W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

280pF @ 25V

15nC @ 10V

37.1ns

±20V

23 ns

9A

20V

9A

0.15Ohm

60V

27A

30 mJ

符合RoHS标准

无铅

NTD3055-150-1G
NTD3055-150-1G
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

3

SILICON

9A Ta

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

哑光锡

SINGLE

未说明

未说明

R-PSIP-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

280pF @ 25V

15nC @ 10V

60V

±20V

9A

0.15Ohm

27A

60V

30 mJ

ROHS3 Compliant

NTD3055-150T4
NTD3055-150T4
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

3

SILICON

12.2 ns

9A Ta

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2007

e0

Obsolete

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

60V

鸥翼

240

9A

30

R-PSSO-G2

不合格

Single

增强型MOSFET

28.8W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

280pF @ 25V

15nC @ 10V

37.1ns

±20V

23 ns

9A

20V

9A

0.15Ohm

60V

27A

30 mJ

not_compliant

Non-RoHS Compliant

含铅

NTD3055-150T4
NTD3055-150T4
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

3

SILICON

9A Ta

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

e0

no

Obsolete

1 (Unlimited)

2

锡铅

SINGLE

鸥翼

240

30

R-PSSO-G2

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

280pF @ 25V

15nC @ 10V

60V

±20V

9A

0.15Ohm

27A

60V

30 mJ

unknown

Non-RoHS Compliant

NTD3055-150T4G
NTD3055-150T4G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

Tin

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

3

SILICON

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

12.2 ns

9A Ta

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2006

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

122MOhm

60V

鸥翼

260

9A

40

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

28.8W

DRAIN

11.2 ns

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

无卤素

280pF @ 25V

15nC @ 10V

37.1ns

±20V

23 ns

9A

20V

9A

60V

27A

2.38mm

6.73mm

6.22mm

无

ROHS3 Compliant

无铅

NTD3055-150T4G-VB
NTD3055-150T4G-VB
VBsemi Elec 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

true

Tape & Reel (TR)