对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 无卤素 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTD3055-150 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | 2 | SILICON | Tube | NTD30 | Obsolete | CASE 369C-01, DPAK-3 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | CASE 369C-01 | onsemi | 30 | 无 | NTD3055-150 | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.16 | 9 A | - | e0 | 无 | 锡铅 | SINGLE | 鸥翼 | 240 | R-PSSO-G2 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.15 Ω | 27 A | 60 V | 30 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | unknown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTD3055-150 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | SILICON | 1 | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | 锡铅 | SINGLE | 鸥翼 | 240 | 30 | R-PSSO-G2 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 9A | 0.15Ohm | 27A | 60V | 30 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTD3055-150-1 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | 3 | SILICON | Tube | NTD30 | Obsolete | CASE 369D-01, DPAK-3 | IN-LINE | 1 | PLASTIC/EPOXY | CASE 369D-01 | onsemi | 未说明 | 无 | NTD3055-150-1 | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.16 | 9 A | - | e0 | 无 | 锡铅 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 235 | R-PSIP-T3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.15 Ω | 27 A | 60 V | 30 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | unknown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD3055-150G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | YES | 3 | SILICON | 12.2 ns | 9A Ta | 10V | 1 | 1.5W Ta 28.8W Tj | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2006 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin (Sn) | 60V | 鸥翼 | 260 | 9A | 40 | R-PSSO-G2 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 28.8W | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 150m Ω @ 4.5A, 10V | 280pF @ 25V | 15nC @ 10V | 37.1ns | ±20V | 23 ns | 9A | 20V | 9A | 0.15Ohm | 60V | 27A | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTD3055-150-1 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | 1 | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | 锡铅 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 235 | 未说明 | R-PSIP-T3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 9A | 0.15Ohm | 27A | 60V | 30 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTD3055-150-1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | NO | 4 | SILICON | 12.2 ns | 9A Ta | 10V | 1 | 1.5W Ta 28.8W Tj | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2006 | e3 | yes | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | 60V | 未说明 | 9A | 未说明 | R-PSIP-T3 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 28.8W | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 150m Ω @ 4.5A, 10V | 280pF @ 25V | 15nC @ 10V | 37.1ns | ±20V | 23 ns | 9A | 20V | 9A | 0.15Ohm | 60V | 27A | 30 mJ | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD3055-150-1G | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | NO | 3 | SILICON | 9A Ta | 10V | 1 | 1.5W Ta 28.8W Tj | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | 哑光锡 | SINGLE | 未说明 | 未说明 | R-PSIP-T3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 150m Ω @ 4.5A, 10V | 280pF @ 25V | 15nC @ 10V | 60V | ±20V | 9A | 0.15Ohm | 27A | 60V | 30 mJ | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD3055-150T4 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 3 | SILICON | 12.2 ns | 9A Ta | 10V | 1 | 1.5W Ta 28.8W Tj | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 60V | 鸥翼 | 240 | 9A | 30 | R-PSSO-G2 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 28.8W | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 150m Ω @ 4.5A, 10V | 280pF @ 25V | 15nC @ 10V | 37.1ns | ±20V | 23 ns | 9A | 20V | 9A | 0.15Ohm | 60V | 27A | 30 mJ | not_compliant | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD3055-150T4 | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | YES | 3 | SILICON | 9A Ta | 10V | 1 | 1.5W Ta 28.8W Tj | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | 锡铅 | SINGLE | 鸥翼 | 240 | 30 | R-PSSO-G2 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 150m Ω @ 4.5A, 10V | 280pF @ 25V | 15nC @ 10V | 60V | ±20V | 9A | 0.15Ohm | 27A | 60V | 30 mJ | unknown | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD3055-150T4G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | Tin | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | YES | 3 | SILICON | 10V | 1 | 1.5W Ta 28.8W Tj | 12.2 ns | 9A Ta | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 122MOhm | 60V | 鸥翼 | 260 | 9A | 40 | R-PSSO-G2 | Single | 增强型MOSFET | 28.8W | DRAIN | 11.2 ns | N-Channel | SWITCHING | 150m Ω @ 4.5A, 10V | 无卤素 | 280pF @ 25V | 15nC @ 10V | 37.1ns | ±20V | 23 ns | 9A | 20V | 9A | 60V | 27A | 2.38mm | 6.73mm | 6.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTD3055-150T4G-VB | VBsemi Elec | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | true | Tape & Reel (TR) |
NTD3055-150
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150-1
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150-1
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150-1G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150-1G
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150T4
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150T4
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150T4G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD3055-150T4G-VB
VBsemi Elec
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single


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