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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.16116
10
¥3.925623
100
¥3.703417
500
¥3.493791
1000
¥3.296029
Diodes Incorporated DMP3010LK3-13
- 收藏
- 对比
DMP3010LK3-13
671-DMP3010LK3-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET P CH 30V 17A TO252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP3010LK3-13详情
Diodes Incorporated DMP3010LK3-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta
Turn Off Delay Time
260.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11.4 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6234pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59.2nC @ 4.5V
上升时间
9.4ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
99.3 ns
连续放电电流(ID)
17A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
高度
2.39mm
长度
6.7mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP3010LK3-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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