ON Semiconductor NTD4855NT4G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 98A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.35W Ta 66.7W Tc

Turn Off Delay Time

32.02 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.24W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32.7nC @ 4.5V

上升时间

16.52ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.35 ns

连续放电电流(ID)

17.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

98A

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

197A

雪崩能量等级（Eas）

220 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅