ON Semiconductor NTF5P03T3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

15 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.56W Ta

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

100MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-5.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 5.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

45ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

-1.75V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.7A

漏源击穿电压

-30V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

高度

1.65mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅