ON Semiconductor NTHD5904NT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

640mW Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.13W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 3.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

465pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

漏源击穿电压

20V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅