ECH8675-TL-H
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ON Semiconductor ECH8675-TL-H

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型号

ECH8675-TL-H

utmel 编号

1807-ECH8675-TL-H

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET PCH PCH 1.8V DRIVE SERIES

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ECH8675-TL-H
ECH8675-TL-H ON Semiconductor MOSFET PCH PCH 1.8V DRIVE SERIES

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ECH8675-TL-H详情

ON Semiconductor ECH8675-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    8

  • Turn Off Delay Time

    69 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    1.5W

  • 引脚数量

    8

  • 功率耗散

    1.3W

  • 接通延迟时间

    8.4 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    46m Ω @ 3A, 4.5V

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    670pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7.3nC @ 4.5V

  • 上升时间

    45ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    63 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    2.3mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor ECH8675-TL-H.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & ECH8675-TL-H相似的参数规格。

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ECH8675-TL-H拓展信息

FDG6301N
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ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

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