对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTJD4152PT2G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 11 Weeks | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin (Sn) | 272mW | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | R-PDSO-G6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 增强型MOSFET | 272mW | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 260m Ω @ 880mA, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 155pF @ 20V | 2.2nC @ 4.5V | 20V | 880mA | 0.88A | 0.26Ohm | 20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTJD4152PT1G | TECH PUBLIC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTJD4152PT1 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6 | SILICON | 2 | 13.5 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | -20V | 272mW | 鸥翼 | 240 | not_compliant | -880mA | 30 | NTJD4152P | 6 | 不合格 | Dual | 增强型MOSFET | 272mW | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 260m Ω @ 880mA, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 155pF @ 20V | 2.2nC @ 4.5V | 6.5ns | 20V | 6.5 ns | 880mA | 12V | 0.88A | -20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||
NTJD4152PT1G | AMI Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 2.656237 kg | Non-Compliant | Lead free / RoHS Compliant | 880mA | NTJD4152PT1GOSDKR | -55°C ~ 150°C (TJ) | Original-Reel® | - | 1 (Unlimited) | NTJD4152P | 272mW | 2 P-Channel (Dual) | 260 mOhm @ 880mA, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 155pF @ 20V | 2.2nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 | 107.95 mm | 241.3 mm | 158.75 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据表 | 1892 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 11 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago) | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | 6 | SILICON | 2 | 13.5 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2000 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 215MOhm | Tin (Sn) | -20V | 272mW | 鸥翼 | 260 | -880mA | 40 | NTJD4152P | 6 | Dual | 增强型MOSFET | 272mW | 5.8 ns | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 260m Ω @ 880mA, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 155pF @ 20V | 2.2nC @ 4.5V | 6.5ns | 20V | 6.5 ns | 880mA | -1.2V | 12V | 0.88A | -20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 990.6μm | 2.1844mm | 1.3462mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 |
NTJD4152PT2G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTJD4152PT1G
TECH PUBLIC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTJD4152PT1
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTJD4152PT1G
AMI Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTJD4152PT1G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays


哦! 它是空的。