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'ntjd4152p'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

电压 - 额定直流

最大功率耗散

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

DS 击穿电压-最小值

场效应管技术

场效应管特性

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTJD4152PT2G
NTJD4152PT2G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

YES

SILICON

2

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2015

e3

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

Tin (Sn)

272mW

鸥翼

未说明

未说明

R-PDSO-G6

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

增强型MOSFET

272mW

2 P-Channel (Dual)

SWITCHING

260m Ω @ 880mA, 4.5V

1.2V @ 250μA

155pF @ 20V

2.2nC @ 4.5V

20V

880mA

0.88A

0.26Ohm

20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Standard

ROHS3 Compliant

NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
TECH PUBLIC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NTJD4152PT1
NTJD4152PT1
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

6

SILICON

2

13.5 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2007

e0

Obsolete

1 (Unlimited)

6

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

-20V

272mW

鸥翼

240

not_compliant

-880mA

30

NTJD4152P

6

不合格

Dual

增强型MOSFET

272mW

2 P-Channel (Dual)

SWITCHING

260m Ω @ 880mA, 4.5V

1.2V @ 250μA

155pF @ 20V

2.2nC @ 4.5V

6.5ns

20V

6.5 ns

880mA

12V

0.88A

-20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

Non-RoHS Compliant

含铅

NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
AMI Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SC-88/SC70-6/SOT-363

2.656237 kg

Non-Compliant

Lead free / RoHS Compliant

880mA

NTJD4152PT1GOSDKR

-55°C ~ 150°C (TJ)

Original-Reel®

-

1 (Unlimited)

NTJD4152P

272mW

2 P-Channel (Dual)

260 mOhm @ 880mA, 4.5V

1.2V @ 250µA

155pF @ 20V

2.2nC @ 4.5V

20V

逻辑电平门

107.95 mm

241.3 mm

158.75 mm

NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
ON Semiconductor 数据表

1892 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

YES

6

SILICON

2

13.5 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2000

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

215MOhm

Tin (Sn)

-20V

272mW

鸥翼

260

-880mA

40

NTJD4152P

6

Dual

增强型MOSFET

272mW

5.8 ns

2 P-Channel (Dual)

SWITCHING

260m Ω @ 880mA, 4.5V

1.2V @ 250μA

155pF @ 20V

2.2nC @ 4.5V

6.5ns

20V

6.5 ns

880mA

-1.2V

12V

0.88A

-20V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

逻辑电平门

990.6μm

2.1844mm

1.3462mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅