ON Semiconductor NTJD4152PT2G

工厂交货时间

11 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

272mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

272mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

260m Ω @ 880mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

155pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.2nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

880mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.88A

漏极-源极导通最大电阻

0.26Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant