AMI Semiconductor NTJD4152PT1G
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NTJD4152PT1G
137-NTJD4152PT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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NTJD4152PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NTJD4152PT1G详情
AMI Semiconductor NTJD4152PT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
SC-88/SC70-6/SOT-363
质量
2.656237 kg
RoHS
Non-Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
880mA
Other Names
NTJD4152PT1GOSDKR
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Original-Reel®
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
NTJD4152P
功率 - 最大
272mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
260 mOhm @ 880mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
155pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
宽度
158.75 mm
高度
107.95 mm
长度
241.3 mm
NTJD4152PT1G拓展信息
AMI Semiconductor
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