ON Semiconductor NTK3043NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

210mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.65V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

310mW Ta

Turn Off Delay Time

94 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.4Ohm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

225mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

440mW

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4 Ω @ 10mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11pF @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

285mA

阈值电压

400mV

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.255A

漏源击穿电压

20V

高度

550μm

长度

1.25mm

宽度

850μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅