ON Semiconductor NTK3134NT5G
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NTK3134NT5G
1807-NTK3134NT5G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-723
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MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723
--最小包装量--
NTK3134NT5G详情
ON Semiconductor NTK3134NT5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
750mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
310mW Ta
Turn Off Delay Time
17.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
310mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
350m Ω @ 890mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
120pF @ 16V
上升时间
4.8ns
Vgs(最大值)
±6V
下降时间(典型值)
4.8 ns
连续放电电流(ID)
890mA
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.89A
漏源击穿电压
20V
栅源电压
1.2 V
反馈上限-最大值 (Crss)
15 pF
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTK3134NT5G拓展信息
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