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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.734013
10
¥5.409452
100
¥5.103253
500
¥4.814388
1000
¥4.541879
ON Semiconductor NTLGF3402PT2G
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- 对比
NTLGF3402PT2G
1807-NTLGF3402PT2G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTLGF3402PT2G详情
ON Semiconductor NTLGF3402PT2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.14W Ta
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-20V
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-3.9A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
JESD-30代码
R-XDSO-C8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
6.2 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
140m Ω @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
3.9A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.3A
漏极-源极导通最大电阻
0.14Ohm
漏源击穿电压
-20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
11A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTLGF3402PT2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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