ON Semiconductor NTMFS4849NT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.2A Ta 71A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

870mW Ta 42.4W Tc

Turn Off Delay Time

18.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

5.7W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.1m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2040pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 4.5V

上升时间

45.1ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

5.7 ns

连续放电电流(ID)

16.1A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0079Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅