ON Semiconductor NTMFS4847NAT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A Ta 85A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

880mW Ta 48.4W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.1m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2614pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V

上升时间

53ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

8.7 ns

连续放电电流(ID)

85A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.0062Ohm

漏源击穿电压

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅