ON Semiconductor NTMFS4898NFT3G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.2A Ta 117A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

930mW Ta 73.5W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

73.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3233pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49.5nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.3 ns

连续放电电流(ID)

117A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0048Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

234A

雪崩能量等级（Eas）

228 mJ

高度

1.1mm

长度

5.1mm

宽度

6.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅