ON Semiconductor NTMFS4923NET1G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

SOIC

表面安装

YES

引脚数

5

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

27.5 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

48W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.63W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16.3 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

6.6 ns

连续放电电流(ID)

91A

阈值电压

1.63V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12.7A

漏源击穿电压

30V

输入电容

4.85nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

4.8mOhm

最大rds

3.3 mΩ

高度

1.1mm

长度

5.1mm

宽度

6.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅