ON Semiconductor NTMS10P02R2

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 10A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3640pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

70nC @ 4.5V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

110 ns

连续放电电流(ID)

8.8A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5A

漏源击穿电压

-20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅