ON Semiconductor NTMS7N03R2G

工厂交货时间

29 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta

Turn Off Delay Time

27 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.8A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

上升时间

71ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

7mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

漏源击穿电压

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅