ON Semiconductor NTNS3190NZT5G

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

224mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120mW Ta

Turn Off Delay Time

201 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15.8pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.7nC @ 4.5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

110 ns

连续放电电流(ID)

224mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant