ON Semiconductor NTP5862NG

工厂交货时间

22 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

98A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

115W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

115W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7m Ω @ 45A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

82nC @ 10V

上升时间

70ns

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

98A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.0057Ohm

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

205 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant