ON Semiconductor NTP8G202NG
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NTP8G202NG
1807-NTP8G202NG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 600V 9A TO220
--最小包装量--
NTP8G202NG详情
ON Semiconductor NTP8G202NG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Power Dissipation (Max)
65W Tc
Turn Off Delay Time
9.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
接通延迟时间
6.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
350m Ω @ 5.5A, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 500μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
760pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±18V
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
18V
高度
15.75mm
长度
10.53mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTP8G202NG拓展信息
ON Semiconductor
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