NTP8G202NG
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ON Semiconductor NTP8G202NG

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型号

NTP8G202NG

utmel 编号

1807-NTP8G202NG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

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NTP8G202NG
NTP8G202NG ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220

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NTP8G202NG详情

ON Semiconductor NTP8G202NG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    9A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    8V

  • Power Dissipation (Max)

    65W Tc

  • Turn Off Delay Time

    9.7 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2015

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 接通延迟时间

    6.2 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    350m Ω @ 5.5A, 8V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.6V @ 500μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    760pF @ 400V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    9.3nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±18V

  • 连续放电电流(ID)

    9A

  • 阈值电压

    2.1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    18V

  • 高度

    15.75mm

  • 长度

    10.53mm

  • 宽度

    4.83mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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