ON Semiconductor NTR4003NT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

690mW Ta

Turn Off Delay Time

65.1 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

690mW

接通延迟时间

16.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

21pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.15nC @ 5V

上升时间

47.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

47.9 ns

连续放电电流(ID)

500mA

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏源击穿电压

30V

高度

1.01mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅