ON Semiconductor NTR4502PT1
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NTR4502PT1
1807-NTR4502PT1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
--最小包装量--
NTR4502PT1详情
ON Semiconductor NTR4502PT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.13A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400mW Tj
Turn Off Delay Time
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-1.95A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.25W
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 1.95A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
1.13A
栅极至源极电压(Vgs)
-20V
漏极-源极导通最大电阻
0.2Ohm
漏源击穿电压
-30V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NTR4502PT1拓展信息
ON Semiconductor
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