ON Semiconductor NTSB20120CTT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

应用

EFFICIENCY

附加功能

FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

12μA @ 90V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1V @ 10A

正向电流

20A

工作温度 - 结点

-40°C~150°C

最大浪涌电流

40A

无卤素

无卤素

最大反向电压（DC）

120V

平均整流电流

10A

相位的数量

1

峰值反向电流

12μA

最大重复反向电压(Vrrm)

120V

峰值非恢复性浪涌电流

120A

反向电压

120V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

120A

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅