ON Semiconductor NTTFS4823NTAG

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.1A Ta 50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

660mW Ta 32.9W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

4W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1013pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 4.5V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

17.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.0175Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150A

雪崩能量等级（Eas）

31 mJ

栅源电压

1.9 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅