ON Semiconductor NTTFS5811NLTWG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta 53A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Ta 33W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

33W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.4m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

53A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

65 mJ

栅源电压

1.7 V

高度

800μm

长度

3.15mm

宽度

3.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅