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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.734687
10
¥1.6365
100
¥1.543861
500
¥1.456474
1000
¥1.374036
ON Semiconductor NUS2401SNT1G
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- 对比
NUS2401SNT1G
1807-NUS2401SNT1G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SC-74, SOT-457
大陆
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 200mA 50V Integrated NPN/PNP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NUS2401SNT1G详情
ON Semiconductor NUS2401SNT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
表面安装
YES
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
3
hFEMin
150
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
内置偏置电阻
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NUS2401
引脚数量
6
极性
PNP
配置
COMPLEX
功率耗散
350mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
200mA
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300μA, 10mA
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
最小直流增益(hFE)
150
电阻基(R1)
175 Ω, 10k Ω
连续集电极电流
200mA
电阻-发射极基极(R2)
175 Ω, 10k Ω
高度
1mm
长度
3.1mm
宽度
1.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NUS2401SNT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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