ON Semiconductor NVB5860NLT4G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

25 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

283W Tc

Turn Off Delay Time

98 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

283W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13216pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

220A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

660A

高度

4.83mm

长度

10.29mm

宽度

9.65mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅