ON Semiconductor NVB60N06T4G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

25 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Ta

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta 150W Tj

Turn Off Delay Time

94.5 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3220pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

81nC @ 10V

上升时间

180.7ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

142.5 ns

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

454 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅