ON Semiconductor NVD4856NT4G

生命周期状态

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工厂交货时间

32 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.3A Ta 89A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.33W Ta 60W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2241pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

89A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.0068Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

179A

雪崩能量等级（Eas）

180.5 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅