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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.063322
10
¥8.550307
100
¥8.066326
500
¥7.609742
1000
¥7.179004
ON Semiconductor NVF3055-100T1G
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- 对比
NVF3055-100T1G
1807-NVF3055-100T1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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MOSFET NFET 60V 3A 0.100R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVF3055-100T1G详情
ON Semiconductor NVF3055-100T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
9 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
1999
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
455pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏源击穿电压
60V
高度
1.65mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVF3055-100T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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