NVF3055L108T3G
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ON Semiconductor NVF3055L108T3G

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型号

NVF3055L108T3G

utmel 编号

1807-NVF3055L108T3G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

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NVF3055L108T3G
NVF3055L108T3G ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

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NVF3055L108T3G详情

ON Semiconductor NVF3055L108T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    4

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.3W Ta

  • Turn Off Delay Time

    22 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 引脚数量

    4

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    2.1W

  • 接通延迟时间

    11 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    120m Ω @ 1.5A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    440pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 5V

  • 上升时间

    35ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±15V

  • 下降时间(典型值)

    27 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3A

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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