ON Semiconductor NVF3055L108T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

120MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 1.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 5V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

高度

1.65mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅