ON Semiconductor NVMFS5833NT1G
- 收藏
- 对比
NVMFS5833NT1G
1807-NVMFS5833NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1最小包装量--
NVMFS5833NT1G详情
ON Semiconductor NVMFS5833NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
38 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3.7W Ta 112W Tc
Turn Off Delay Time
23.6 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
5
配置
Single
接通延迟时间
10.23 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1714pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32.5nC @ 10V
上升时间
19.5ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
86A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMFS5833NT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。