ON Semiconductor NVMSD6N303R2G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

32m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

连续放电电流(ID)

6A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.032Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

雪崩能量等级（Eas）

325 mJ

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

符合RoHS标准