ON Semiconductor NVTFS4C25NTAG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.1A Ta 22.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 14.3W Tc

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

8

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.3nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

22.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.017Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

11.2 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅