ON Semiconductor P2N2222A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

hFEMin

35

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

600mA

基本部件号

P2N2222

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅