ON Semiconductor P2N2222ARL1G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Number of Elements

1

hFEMin

35

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

额定电流

600mA

频率

300MHz

基本部件号

P2N2222

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅