ON Semiconductor P2N2907A

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

P2N2907

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

最大耗散功率(Abs)

0.625W

关断时间-最大值（toff)

110ns

接通时间-最大值(ton)

50ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant