ON Semiconductor PN2222

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

hFEMin

35

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

250MHz

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

已出版

2009

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

600mA

频率

250MHz

基本部件号

PN2222

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

最高频率

300MHz

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

3.86mm

长度

4.58mm

高度

4.58mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅