ON Semiconductor PN2222ATAR

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

178.2mg

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

额定电流

1A

频率

300MHz

基本部件号

PN2222

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅