ON Semiconductor PN3645_D26Z

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

625mW

基本部件号

PN3645

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

625mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

35nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准