ON Semiconductor QRD1114

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial - 4 Leads

引脚数

4

质量

0g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

操作温度

-40°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

100mW

输出电压

30V

输出类型

Phototransistor

工作电源电压

1.7V

通道数量

1

终端类型

SOLDER

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

回应时间

10μs, 50μs

输出电流-最大值

5mA

上升时间

10μs

正向电压

1.7V

下降时间（典型值）

50 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1mA

感应距离

0.050 (1.27mm)

反向击穿电压

5V

感测方法

Reflective

传感器/传感器类型

LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE

输入电流

20mA

房屋

PLASTIC

反向电压(直流电)

5V

高度

4.65mm

长度

6.1mm

宽度

4.39mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅